|
|
|
¡ã ±è´ëÇö °æºÏ´ë ÀüÀÚ°øÇкΠ±³¼ö |
[´º½º¿¡µà] °æºÏ´ëÇб³(ÃÑÀå ±è»óµ¿)°¡ ¹Ì·¡Ã¢Á¶°úÇÐºÎ¿Í Çѱ¹¿¬±¸Àç´Ü¿¡¼ ÃßÁøÇÏ´Â 2017³âµµ ³ª³ë·¼ÒÀç ¿øõ±â¼ú°³¹ß»ç¾÷ÀÇ ½Å±Ô°úÁ¦ÀÎ ‘³ª³ë¼± ±â¹Ý ÃÊÀúÀü·Â TFET °³¹ß’ ¿¬±¸ ÃÑ°ýÁÖ°ü±â°ü ¹× ¼¼ºÎÁÖ°ü±â°üÀ¸·Î ¼±Á¤µÆ´Ù.
À̹ø »ç¾÷ ¼±Á¤À¸·Î ¿ÃÇØ 7¿ùºÎÅÍ 5³â°£ ¾à 24¾ï¿øÀÇ ¿¬±¸ºñ¸¦ Áö¿ø¹Þ°Ô µÈ´Ù. ±è´ëÇö °æºÏ´ë ÀüÀÚ°øÇкΠ±³¼ö(»çÁø)°¡ À̹ø ¿¬±¸ÀÇ ÃÑ°ýÃ¥ÀÓÀÚÀ̸ç, Çѱ¹³ª³ë±â¼ú¿¬±¸¿øÀÌ °øµ¿¿¬±¸±â°üÀ¸·Î Âü¿©ÇÑ´Ù.
³ª³ë·¼ÒÀç ¿øõ±â¼ú°³¹ß»ç¾÷Àº ³ª³ë·¼ÒÀç ºÐ¾ßÀÇ ¼±µµÀû ±â¼ú ¹ß±¼À» ÅëÇØ ¹Ì·¡»çȸ ±â¼ú¼ö¿ä ´ëÀÀ ¹× ³ª³ë±â¼úÀÇ »ê¾÷ȸ¦ ÃËÁøÇϱâ À§ÇØ ÃßÁøµÇ°í ÀÖ´Ù.
±è ±³¼öÆÀÀº ±âÁ¸ ¸ð½ºÆê(MOSFET) ´ëºñ Àü·Â ¼Ò¸ð¸¦ Å©°Ô ÁÙÀÏ °ÍÀ¸·Î ±â´ëµÇ´Â Â÷¼¼´ë ÃÊÀýÀü ‘Åͳθµ Àü°èÈ¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ(TFET, Tunneling Field Effect Transistor)’ ¼ÒÀç °³¹ß ¿¬±¸¸¦ ÁøÇàÇÏ°Ô µÈ´Ù.
ÃÑ°ý ¹× ¼¼ºÎ ¿¬±¸Ã¥ÀÓÀÚÀÎ ±è´ëÇö ±³¼ö´Â “¹«¼± ¹× ¸ð¹ÙÀÏ ±â±â ¼ö¿ä ±ÞÁõÀ¸·Î ÃÊÀúÀü·Â ¼ÒÀÚ °³¹ß¿¡ ´ëÇÑ ¿ä±¸°¡ ´Ã¾î°¡°í ÀÖ´Ù"°í ¹àÇû´Ù.
À̾î"À̹ø °úÁ¦´Â ÈÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼¸¦ ÀÌ¿ëÇØ Â÷¼¼´ë CMOS(»óº¸Çü ±Ý¼Ó»êȹݵµÃ¼) ¼ÒÀÚ ±¸ÇöÀ» À§ÇÑ À¯¸ÁÇÑ ±¸Á¶ Áß ÇϳªÀÎ ³ª³ë¼± TFET¸¦ °³¹ßÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î, ¼º°ø ½Ã Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ±¸ÇöÀ» À§ÇÑ ¿øõ ±â¼úÀ» È®º¸ÇÒ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ¸·Î ±â´ëµÈ´Ù”°í ¹àÇû´Ù.